ABOUT US成長歷程
2010年代
- 05月
96段4D電路為基礎之1Tb QLC樣品製造
- 04月
中國無錫晶圓廠（C2F）竣工
- 03月
確定1兆2,200億韓元規模之「半導體生產園區」支援方案
業界首先演練次世代數據中心專用之標準ZNS SSD - 02月
向龍仁市提交半導體園區SPC投資意願書
- 12月
於利川總公司召開M16動工典禮
選任新一屆代表理事 李錫熙社長 - 11月
開發第二代10奈米級（1Y）16Gb DDR5
開發第二代10奈米級（1Y）DDR4 DRAM
全球第一個開發以CTF為基礎之96段4D電路 - 10月
實施以技術為中心之新口號「We Do Technology」
於清洲舉辦M15竣工典禮
- 07月
於京畿道利川發表新半導體工廠建設相關內容
- 06月
通過韓美日聯合國際財團，完成收購東芝存儲器公司的程序。
- 05月
完成Happy More ‘子公司殘疾人標準工作場所’
- 03月
引入外部董事制度和在董事會內設立持續管理委員會
- 02月
開發商業用的第四代（72層）3D NAND 4TByte 串行高級技術附件(SATA)固態硬盤
開始第4代（72層）基於NAND的新一代PCIe eSSD客戶認證
- 10月
運作”SK海力士產業保健促進委員會“
- 09月
發表利川校園研發中心建設計劃
決定投資東芝存儲器公司 - 07月
成立鑄造專門子公司“SK海力士系統集成電路”
- 04月
開發業界最高的72層3D NAND閃存
正在開發以線寬20納米、8Gb為基礎的新一代Graphic DRAM-GDDR6 - 01月
全世界容量最大的8GB、超低功耗的移動DRAM----LPDDR4X上市
- 12月
公開在忠清北道青州市建立最先進的晶圓廠的計劃
- 10月
作為韓國企業，首次加入CDP最權威的“白金俱樂部”
與美國斯坦福大學簽署“關於人工神經網半導體器件的聯合研發“協議
- 08月
為成立”子公司形式的標淮單位“，與韓國殘疾人雇傭公團簽署合作備忘錄
- 02月
男手球隊”SK Hawks“成立
- 08月
利川M14竣工
與美國閃迪簽訂延長專利許可期限及供貨合同 - 06月
業界首次采用“薪水分享制度“
- 02月
8Gb LPDDR4業界最早進入市場
- 01月
2014年,年度經營業績創下歷史新高
- 12月
與東芝簽署了聯合開發納米壓印光刻諒解備忘錄
- 10月
開發全球首個16GB NVDIMM
- 09月
於中國四川省重慶市建立後端線
連續五年列入道瓊斯可持續發展指數(DJSI)
開發全球首個 Wide IO2 Mobile DRAM
- 06月
與Softeq Development FLLC的固件部門合併
- 05月
與Violin Memory的PCIe Card 部門合併
- 04月
開發全球首個 128GB DDR4模件
- 12月
開發全球首個 20nm Class LPDDR4
開發全球首個 TSV-based HBM - 11月
建立大規模生產16nm NAND 閃存系統
- 10月
開發全球首個 20nm Class 6Gb LPDDR3
- 08月
設立綜合分析中心
- 07月
與三星電子簽署了交叉許可協議
- 06月
與Rambus簽署了專利許可協議
開發全球首個高密8Gb LPDDR3 - 02月
Park Sung Wook 為新任命的CEO
- 09月
開發低壓4Gb Graphics DDR3
連續3年列入道瓊斯可持續發展世界指數 （DJSI-World）
設立快閃記憶體解決方案設計中心 - 06月
於清州市建立M12生產線
推出客戶端SSD
收購 Link_A_Media Devices
收購 Ideaflash S.r.l. 並於歐洲建立快閃記憶體研發中心
與IBM簽署了聯合開發PCRAM的協議
- 04月
與Spansion簽署戰略聯盟
- 03月
公司名稱改為 SK hynix Inc.
- 02月
SK電信成為海力士的第一大股東
委任崔泰源先生為新主席兼行政總裁
委任Mr. Sung Min Ha 為董事會主席
- 11月
SK電信與海力士股份管理委員會簽署了股份購買協議書
- 07月
與Toshiba 簽署了聯合開發MRAM的協議
- 06月
委任Mr. In-Baik Jeon 為董事會主席
- 04月
開發30nm Class 2Gb 高性能 DDR4 DRAM
- 03月
利用TSV技術開發 40nm Class 16Gb DDR3 DRAM
- 09月
入選道瓊斯可持續發展世界指數
與HP簽署了聯合開發新一代記憶體產品ReRAM的協議 - 06月
於中國建成HITECH 半導體封裝測試的後端合資企業
- 03月
委任Mr. Oh Chul Kwon 為新行政總裁
- 02月
開發 20nm Class 64Gb NAND Flash
- 01月
開發全球首個2Gb流動低功耗DDR2 DRAM
